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Tunnelling anisotropic magnetoresistance due to antiferromagnetic CoO tunnel barriers

A new approach in spintronics is based on spin-polarized charge transport phenomena governed by antiferromagnetic (AFM) materials. Recent studies have demonstrated the feasibility of this approach for AFM metals and semiconductors. We report tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR) due to the...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Sci Rep
Main Authors: Wang, K., Sanderink, J. G. M., Bolhuis, T., van der Wiel, W. G., de Jong, M. P.
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Nature Publishing Group 2015
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4614445/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26486931
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep15498
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