Fabrication of Gate-tunable Graphene Devices for Scanning Tunneling Microscopy Studies with Coulomb Impurities

Owing to its relativistic low-energy charge carriers, the interaction between graphene and various impurities leads to a wealth of new physics and degrees of freedom to control electronic devices. In particular, the behavior of graphene’s charge carriers in response to potentials from charged Coulom...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রকাশিত:J Vis Exp
প্রধান লেখক: Jung, Han Sae, Tsai, Hsin-Zon, Wong, Dillon, Germany, Chad, Kahn, Salman, Kim, Youngkyou, Aikawa, Andrew S., Desai, Dhruv K., Rodgers, Griffin F., Bradley, Aaron J., Velasco, Jairo, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Wang, Feng, Zettl, Alex, Crommie, Michael F.
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: MyJove Corporation 2015
বিষয়গুলি:
Engineering
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4544993/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26273961
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3791/52711
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি