Electronic Coupling in Nanoscale InAs/GaAs Quantum Dot Pairs Separated by a Thin Ga(Al)As Spacer

The electronic coupling in vertically aligned InAs/GaAs quantum dot (QD) pairs is investigated by photoluminescence (PL) measurements. A thin Al(0.5)Ga(0.5)As barrier greatly changes the energy transfer process and the optical performance of the QD pairs. As a result, the QD PL intensity ratio shows...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Nanoscale Res Lett
Những tác giả chính: Liu, Yao, Liang, Baolai, Guo, Qinglin, Wang, Shufang, Fu, Guangsheng, Fu, Nian, Wang, Zhiming M, Mazur, Yuriy I, Salamo, Gregory J
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer US 2015
Những chủ đề:
Nano Express
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4489975/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26123271
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-0973-5
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự