Short-wavelength infrared photodetector on Si employing strain-induced growth of very tall InAs nanowire arrays

One-dimensional crystal growth enables the epitaxial integration of III-V compound semiconductors onto a silicon (Si) substrate despite significant lattice mismatch. Here, we report a short-wavelength infrared (SWIR, 1.4–3 μm) photodetector that employs InAs nanowires (NWs) grown on Si. The wafer-sc...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Sci Rep
المؤلفون الرئيسيون: Wook Shin, Hyun, Jun Lee, Sang, Gun Kim, Doo, Bae, Myung-Ho, Heo, Jaeyeong, Jin Choi, Kyoung, Jun Choi, Won, Choe, Jeong-woo, Cheol Shin, Jae
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Nature Publishing Group 2015
الموضوعات:
Article
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4451803/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26035286
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep10764
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة