Đang tải...
High-mobility and air-stable single-layer WS(2) field-effect transistors sandwiched between chemical vapor deposition-grown hexagonal BN films
An emerging electronic material as one of transition metal dichalcogenides (TMDCs), tungsten disulfide (WS(2)) can be exfoliated as an atomically thin layer and can compensate for the drawback of graphene originating from a gapless band structure. A direct bandgap, which is obtainable in single-laye...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4450543/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26030008 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep10699 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|