লোডিং...
Effect of Threading Dislocations on the Quality Factor of InGaN/GaN Microdisk Cavities
[Image: see text] In spite of the theoretical advantages associated with nitride microcavities, the quality factors of devices with embedded indium gallium nitride (InGaN) or gallium nitride (GaN) optical emitters still remain low. In this work we identify threading dislocations (TDs) as a major lim...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | ACS Photonics |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
American
Chemical Society
2014
|
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4372119/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25839048 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/ph500426g |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|