تحميل...

Effect of Threading Dislocations on the Quality Factor of InGaN/GaN Microdisk Cavities

[Image: see text] In spite of the theoretical advantages associated with nitride microcavities, the quality factors of devices with embedded indium gallium nitride (InGaN) or gallium nitride (GaN) optical emitters still remain low. In this work we identify threading dislocations (TDs) as a major lim...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:ACS Photonics
المؤلفون الرئيسيون: Puchtler, Tim J., Woolf, Alexander, Zhu, Tongtong, Gachet, David, Hu, Evelyn L., Oliver, Rachel A.
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: American Chemical Society 2014
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4372119/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25839048
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/ph500426g
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!