Загрузка...
Differential Wide Temperature Range CMOS Interface Circuit for Capacitive MEMS Pressure Sensors
We describe a Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) differential interface circuit for capacitive Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS) pressure sensors that is functional over a wide temperature range between −55 °C and 225 °C. The circuit is implemented using IBM 0.13 μm CMOS technology...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Sensors (Basel) |
|---|---|
| Главные авторы: | , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
MDPI
2015
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4367409/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25686312 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/s150204253 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|