Aluminum nitride nanowire light emitting diodes: Breaking the fundamental bottleneck of deep ultraviolet light sources

Despite broad interest in aluminum gallium nitride (AlGaN) optoelectronic devices for deep ultraviolet (DUV) applications, the performance of conventional Al(Ga)N planar devices drastically decays when approaching the AlN end, including low internal quantum efficiencies (IQEs) and high device operat...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Sci Rep
Hlavní autoři: Zhao, S., Connie, A. T., Dastjerdi, M. H. T., Kong, X. H., Wang, Q., Djavid, M., Sadaf, S., Liu, X. D., Shih, I., Guo, H., Mi, Z.
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Nature Publishing Group 2015
Témata:
Article
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4329565/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25684335
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep08332
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky