Aluminum nitride nanowire light emitting diodes: Breaking the fundamental bottleneck of deep ultraviolet light sources

Despite broad interest in aluminum gallium nitride (AlGaN) optoelectronic devices for deep ultraviolet (DUV) applications, the performance of conventional Al(Ga)N planar devices drastically decays when approaching the AlN end, including low internal quantum efficiencies (IQEs) and high device operat...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Zhao, S., Connie, A. T., Dastjerdi, M. H. T., Kong, X. H., Wang, Q., Djavid, M., Sadaf, S., Liu, X. D., Shih, I., Guo, H., Mi, Z.
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group 2015
נושאים:
Article
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4329565/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25684335
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep08332
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים