লোডিং...
Optically decomposed near-band-edge structure and excitonic transitions in Ga(2)S(3)
The band-edge structure and band gap are key parameters for a functional chalcogenide semiconductor to its applications in optoelectronics, nanoelectronics, and photonics devices. Here, we firstly demonstrate the complete study of experimental band-edge structure and excitonic transitions of monocli...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group
2014
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4139941/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25142550 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep06143 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|