Đang tải...
Electron transport of WS(2) transistors in a hexagonal boron nitride dielectric environment
We present the first study of the intrinsic electrical properties of WS(2) transistors fabricated with two different dielectric environments WS(2) on SiO(2) and WS(2) on h-BN/SiO(2), respectively. A comparative analysis of the electrical characteristics of multiple transistors fabricated from natura...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2014
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4021321/ https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep04967 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|