Загрузка...

Sub-100-nm ordered silicon hole arrays by metal-assisted chemical etching

Sub-100-nm silicon nanohole arrays were fabricated by a combination of the site-selective electroless deposition of noble metals through anodic porous alumina and the subsequent metal-assisted chemical etching. Under optimum conditions, the formation of deep straight holes with an ordered periodicit...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Asoh, Hidetaka, Fujihara, Kousuke, Ono, Sachiko
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: Springer 2013
Предметы:
Online-ссылка:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3852592/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24090268
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-410
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!