Performance improvement of phase-change memory cell using AlSb(3)Te and atomic layer deposition TiO(2) buffer layer

A phase change memory (PCM) cell with atomic layer deposition titanium dioxide bottom heating layer is investigated. The crystalline titanium dioxide heating layer promotes the temperature rise in the AlSb(3)Te layer which causes the reduction in the reset voltage compared to a conventional phase ch...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Song, Sannian, Song, Zhitang, Peng, Cheng, Gao, Lina, Gu, Yifeng, Zhang, Zhonghua, Lv, Yegang, Yao, Dongning, Wu, Liangcai, Liu, Bo
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2013
Những chủ đề:
Nano Express
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3673895/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23414571
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-77
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự