Tunable band gap in few-layer graphene by surface adsorption

There is a tunable band gap in ABC-stacked few-layer graphene (FLG) via applying a vertical electric field, but the operation of FLG-based field effect transistor (FET) requires two gates to create a band gap and tune channel's conductance individually. Using first principle calculations, we pr...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Quhe, Ruge, Ma, Jianhua, Zeng, Zesheng, Tang, Kechao, Zheng, Jiaxin, Wang, Yangyang, Ni, Zeyuan, Wang, Lu, Gao, Zhengxiang, Shi, Junjie, Lu, Jing
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Nature Publishing Group 2013
الموضوعات:
Article
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3646358/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep01794
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة