লোডিং...
Room light anodic etching of highly doped n-type 4 H-SiC in high-concentration HF electrolytes: Difference between C and Si crystalline faces
In this paper, we study the electrochemical anodization of n-type heavily doped 4 H-SiC wafers in a HF-based electrolyte without any UV light assistance. We present, in particular, the differences observed between the etching of Si and C faces. In the case of the Si face, the resulting material is m...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer
2012
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3519798/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22892360 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-367 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|