Đang tải...
Formation of silicon nanostructures with a combination of spacer technology and deep reactive ion etching
A new method of fabricating high aspect ratio nanostructures in silicon without the use of sub-micron lithographic technique is reported. The proposed method comprises two important steps including the use of CMOS spacer technique to form silicon nitride nanostructure masking followed by deep reacti...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2012
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3502542/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22672745 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-288 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|