Đang tải...
Enhanced photoluminescence of multilayer Ge quantum dots on Si(001) substrates by increased overgrowth temperature
Four-bilayer Ge quantum dots (QDs) with Si spacers were grown on Si(001) substrates by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. In three samples, all Ge QDs were grown at 520 °C, while Si spacers were grown at various temperatures (520 °C, 550 °C, and 580 °C). Enhancement and redshift of room tem...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2012
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3442976/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22784702 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-383 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|