Ładuje się......
Silicon nanowires prepared by electron beam evaporation in ultrahigh vacuum
One-dimensional silicon nanowires (SiNWs) were prepared by electron beam evaporation in ultrahigh vacuum (UHV). The SiNWs can be grown through either vapor–liquid-solid (VLS) or oxide-assisted growth (OAG) mechanism. In VLS growth, SiNWs can be formed on Si surface, not on SiO(2) surfaces. Moreover,...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Springer
2012
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3403976/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22559207 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-243 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|