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Multiple Wavelength InGaAs Quantum Dot Lasers Using Ion Implantation Induced Intermixing

We demonstrate multiple wavelength InGaAs quantum dot lasers using ion implantation induced intermixing. Proton implantation, followed by annealing is used to create differential interdiffusion in the active region of the devices. The characteristics (lasing-spectra, threshold currents and slope eff...

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Mokkapati, S, Du, Sichao, Buda, M, Fu, L, Tan, HH, Jagadish, C
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Springer 2007
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3246610/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s11671-007-9097-x
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