লোডিং...
Chirped InGaAs quantum dot molecules for broadband applications
Lateral InGaAs quantum dot molecules (QDMs) formed by partial-cap and regrowth technique exhibit two ground-state (GS) peaks controllable via the thicknesses of InAs seed quantum dots (x), GaAs cap (y), and InAs regrowth (z). By adjusting x/y/z in a stacked QDM bilayer, the GS peaks from the two lay...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer
2012
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3379949/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22480323 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-207 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|