The Influence of a Continuum Background on Carrier Relaxation in InAs/InGaAs Quantum Dot

We have investigated the ultra-fast carrier dynamics in Molecular Beam Epitaxy (MBE)-grown InAs/InGaAs/GaAs quantum dots (QDs) emitting at 1.3 μm by time resolved photoluminescence (TRPL) upconversion measurements with a time resolution of about 200 fs. Changing the detection energies in the spectra...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Rainò, Gabriele, Visimberga, Giuseppe, Salhi, Abdelmajid, Todaro, Maria T, De Vittorio, Massimo, Passaseo, Adriana, Cingolani, Roberto, De Giorgi, Milena
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Springer 2007
الموضوعات:
Nano Express
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3246602/
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s11671-007-9092-2
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة