Ładuje się......

Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates

Catalyst-free, vertical array of InAs nanowires (NWs) are grown on Si (111) substrate using MOCVD technique. The as-grown InAs NWs show a zinc-blende crystal structure along a < 111 > direction. It is found that both the density and length of InAs NWs decrease with increasing growth temperatur...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Li, Tianfeng, Chen, Yonghai, Lei, Wen, Zhou, Xiaolong, Luo, Shuai, Hu, Yongzheng, Wang, Lijun, Yang, Tao, Wang, Zhanguo
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: Springer 2011
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211884/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21777417
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-463
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!