লোডিং...
Vertically integrated, three-dimensional nanowire complementary metal-oxide-semiconductor circuits
Three-dimensional (3D), multi-transistor-layer, integrated circuits represent an important technological pursuit promising advantages in integration density, operation speed, and power consumption compared with 2D circuits. We report fully functional, 3D integrated complementary metal-oxide-semicond...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
National Academy of Sciences
2009
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2783010/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/19940239 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1073/pnas.0911713106 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|