Fabrication Technology and Characteristics of a Magnetic Sensitive Transistor with nc-Si:H/c-Si Heterojunction

This paper presents a magnetically sensitive transistor using a nc-Si:H/c-Si heterojunction as an emitter junction. By adopting micro electro-mechanical systems (MEMS) technology and chemical vapor deposition (CVD) method, the nc-Si:H/c-Si heterojunction silicon magnetically sensitive transistor (HS...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Xiaofeng Zhao, Baozeng Li, Dianzhong Wen
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: MDPI AG 2017-01-01
Seria:Sensors
Hasła przedmiotowe:
nc-Si:H/c-Si heterojunction
magnetic sensitive transistor
MEMS technology
temperature characteristics
Dostęp online:http://www.mdpi.com/1424-8220/17/1/212
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Podobne zapisy