Fabrication Technology and Characteristics of a Magnetic Sensitive Transistor with nc-Si:H/c-Si Heterojunction

This paper presents a magnetically sensitive transistor using a nc-Si:H/c-Si heterojunction as an emitter junction. By adopting micro electro-mechanical systems (MEMS) technology and chemical vapor deposition (CVD) method, the nc-Si:H/c-Si heterojunction silicon magnetically sensitive transistor (HS...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Xiaofeng Zhao, Baozeng Li, Dianzhong Wen
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: MDPI AG 2017-01-01
Серии:Sensors
Предметы:
nc-Si:H/c-Si heterojunction
magnetic sensitive transistor
MEMS technology
temperature characteristics
Online-ссылка:http://www.mdpi.com/1424-8220/17/1/212
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы