Đang tải...
Random telegraph signals caused by a single dopant in a metal–oxide–semiconductor field effect transistor at low temperature
While the importance of atomic-scale features in silicon-based device for quantum application has been recognized and even the placement of a single atom is now feasible, the role of a dopant in the substrate has not attracted much attention in the context of quantum technology. In this paper, we re...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
AIP Publishing LLC
2020-05-01
|
| Loạt: | AIP Advances |
| Truy cập trực tuyến: | http://dx.doi.org/10.1063/5.0009585 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|