লোডিং...
A Self-Aligned a-IGZO Thin-Film Transistor Using a New Two-Photo-Mask Process with a Continuous Etching Scheme
Minimizing the parasitic capacitance and the number of photo-masks can improve operational speed and reduce fabrication costs. Therefore, in this study, a new two-photo-mask process is proposed that exhibits a self-aligned structure without an etching-stop layer. Combining the backside-ultraviole...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
MDPI AG
2014-08-01
|
| মালা: | Materials |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://www.mdpi.com/1996-1944/7/8/5761 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|