Enhancement of a-IGZO TFT Device Performance Using a Clean Interface Process via Etch-Stopper Nano-layers

To overcome the technological and economic obstacles of amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO)-based display backplane for industrial production, a clean etch-stopper (CL-ES) process is developed to fabricate a-IGZO-based thin film transistor (TFT) with improved uniformity and reproducibility...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Nanoscale Res Lett
Main Authors: Chung, Jae-Moon, Zhang, Xiaokun, Shang, Fei, Kim, Ji-Hoon, Wang, Xiao-Lin, Liu, Shuai, Yang, Baoguo, Xiang, Yong
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer US 2018
נושאים:
Nano Express
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5975049/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29845334
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-018-2571-9
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים