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Polarization-Insensitive Surface Plasmon Polarization Electro-Absorption Modulator Based on Epsilon-Near-Zero Indium Tin Oxide

Abstract CMOS-compatible plasmonic modulators operating at the telecom wavelength are significant for a variety of on-chip applications. Relying on the manipulation of the transverse magnetic (TM) mode excited on the metal-dielectric interface, most of the previous demonstrations are designed to res...

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Lin Jin, Long Wen, Li Liang, Qin Chen, Yunfei Sun
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: SpringerOpen 2018-02-01
Colecção:Nanoscale Research Letters
Assuntos:
Acesso em linha:http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-018-2446-0
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