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A Study on Epitaxial Lift-Off in InGaP/GaAs Double-Junction Solar Cells via Au-Au Bonding on Pre-Patterned Area

We have investigated the improvement of GaAs substrate reusing and the regrowth possibility of the epi-layer for the flexible InGaP/GaAs double junction solar cell. The presence of residues on the GaAs substrate surface separated by the epitaxial lift-off process is closely related to the...

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Detalhes bibliográficos
Main Authors: Gwang yeol Park, Chea won Kim, Hyo jin Kim
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: IEEE 2022-01-01
Colecção:IEEE Photonics Journal
Assuntos:
Acesso em linha:https://ieeexplore.ieee.org/document/9756894/
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