Đang tải...
Demonstration of Efficient Ultrathin Side-Emitting InGaN/GaN Flip-Chip Light-Emitting Diodes by Double Side Reflectors
This work proposes an InGaN/GaN multiple-quantum-well flip-chip blue ultrathin side-emitting (USE) light-emitting diode (LED) and describes the sidewall light emission characteristics for the application of backlight units in display technology. The USE-LEDs are fabricated with top (ITO/distributed...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2022-04-01
|
| Loạt: | Nanomaterials |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2079-4991/12/8/1342 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|