Demonstration of Efficient Ultrathin Side-Emitting InGaN/GaN Flip-Chip Light-Emitting Diodes by Double Side Reflectors

This work proposes an InGaN/GaN multiple-quantum-well flip-chip blue ultrathin side-emitting (USE) light-emitting diode (LED) and describes the sidewall light emission characteristics for the application of backlight units in display technology. The USE-LEDs are fabricated with top (ITO/distributed...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Tae Kyoung Kim, Abu Bashar Mohammad Hamidul Islam, Yu-Jung Cha, Seung Hyun Oh, Joon Seop Kwak
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: MDPI AG 2022-04-01
মালা:Nanomaterials
বিষয়গুলি:
light-emitting diodes
ultrathin side-emitting
ZnO
nanorods
light output power
light extraction efficiency
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://www.mdpi.com/2079-4991/12/8/1342
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি