Demonstration of Efficient Ultrathin Side-Emitting InGaN/GaN Flip-Chip Light-Emitting Diodes by Double Side Reflectors

This work proposes an InGaN/GaN multiple-quantum-well flip-chip blue ultrathin side-emitting (USE) light-emitting diode (LED) and describes the sidewall light emission characteristics for the application of backlight units in display technology. The USE-LEDs are fabricated with top (ITO/distributed...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Tae Kyoung Kim, Abu Bashar Mohammad Hamidul Islam, Yu-Jung Cha, Seung Hyun Oh, Joon Seop Kwak
Формат: Artigo
Язык:Inglês
Опубликовано: MDPI AG 2022-04-01
Серии:Nanomaterials
Предметы:
light-emitting diodes
ultrathin side-emitting
ZnO
nanorods
light output power
light extraction efficiency
Online-ссылка:https://www.mdpi.com/2079-4991/12/8/1342
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!

Схожие документы