Ładuje się......
High-current density terahertz resonant runneling diodes grown by MOCVD
AlAs/InGaAs/AlAs resonant tunneling materials was optimized, and terahertz resonant tunneling diodes grown by MOCVD is first fabricated. The epitaxial layers of the RTD were grown on semi-insulating InP substrate. InP-based RTD were fabricated by using contact lithography and air bridge technology.T...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Chinês |
| Wydane: |
National Computer System Engineering Research Institute of China
2019-08-01
|
| Seria: | Dianzi Jishu Yingyong |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | http://www.chinaaet.com/article/3000107044 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
Ładuje się......