טוען...
Intense Red Catho- and Photoluminescence from 200 nm Thick Samarium Doped Amorphous AlN Thin Films
<p>Abstract</p> <p>Samarium (Sm) doped aluminum nitride (AlN) thin films are deposited on silicon (100) substrates at 77 K by rf magnetron sputtering method. Thick films of 200 nm are grown at 100–200 watts RF power and 5–8 m Torr nitrogen, using a metal target...
שמור ב:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
SpringerOpen
2009-01-01
|
| סדרה: | Nanoscale Research Letters |
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | http://dx.doi.org/10.1007/s11671-009-9309-7 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|