Ładuje się......

A Review on Disorder-Driven Metal–Insulator Transition in Crystalline Vacancy-Rich GeSbTe Phase-Change Materials

Metal–insulator transition (MIT) is one of the most essential topics in condensed matter physics and materials science. The accompanied drastic change in electrical resistance can be exploited in electronic devices, such as data storage and memory technology. It is generally accepted that the underl...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Jiang-Jing Wang, Ya-Zhi Xu, Riccardo Mazzarello, Matthias Wuttig, Wei Zhang
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: MDPI AG 2017-07-01
Seria:Materials
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://www.mdpi.com/1996-1944/10/8/862
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!