טוען...

Vacancy Structures and Melting Behavior in Rock-Salt GeSbTe

Ge-Sb-Te alloys have been widely used in optical/electrical memory storage. Because of the extremely fast crystalline-amorphous transition, they are also expected to play a vital role in next generation nonvolatile microelectronic memory devices. However, the distribution and structural properties o...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Zhang, Bin, Wang, Xue-Peng, Shen, Zhen-Ju, Li, Xian-Bin, Wang, Chuan-Shou, Chen, Yong-Jin, Li, Ji-Xue, Zhang, Jin-Xing, Zhang, Ze, Zhang, Sheng-Bai, Han, Xiao-Dong
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group 2016
נושאים:
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4853729/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27140674
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep25453
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!