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A Review on Disorder-Driven Metal–Insulator Transition in Crystalline Vacancy-Rich GeSbTe Phase-Change Materials

Metal–insulator transition (MIT) is one of the most essential topics in condensed matter physics and materials science. The accompanied drastic change in electrical resistance can be exploited in electronic devices, such as data storage and memory technology. It is generally accepted that the underl...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials (Basel)
Hauptverfasser: Wang, Jiang-Jing, Xu, Ya-Zhi, Mazzarello, Riccardo, Wuttig, Matthias, Zhang, Wei
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: MDPI 2017
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5578228/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28773222
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma10080862
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