Novel SiC/Si heterojunction LDMOS with electric field modulation effect by reversed L-shaped field plate

A novel SiC/Si heterojunction lateral double-diffused metal-oxidesemiconductor (LDMOS) with a reversed L-shaped field plate and a stepped oxide layer has been proposed to improve the tradeoff between the breakdown voltage (BV) and specific on-resistance (Ron,sp). The reversed L-shaped field plate is...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Qi Li, Leilei Yuan, Fabi Zhang, Haiou Li, Gongli Xiao, Yonghe Chen, Tangyou Sun, Xingpeng Liu, Tao Fu
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Elsevier 2020-03-01
মালা:Results in Physics
বিষয়গুলি:
Reversed L-shaped field plate
Stepped oxide layer
Breakdown voltage (BV)
Specific on-resistance (Ron,Sp)
Heterojunction LDMOS
অনলাইন ব্যবহার করুন:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211379719325756
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি