Multistep Soft Turn-Off Time Control to Suppress the Overvoltage of SiC MOSFETs in Short-Circuit State
Wide-bandgap (WBG) devices, such as silicon carbide (SiC) MOSFETs and gallium nitride (GaN) FETs, have replaced silicon insulated gate bipolar transistors (Si-IGBTs) in recent years, because WBG devices can achieve fast switching frequencies and improved temperature variation reliability with better...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
IEEE
2022-01-01
|
| سلاسل: | IEEE Access |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9762271/ |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|