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Design and study of 3.3 kV SiC MOSFET drivers

This paper analyzes the electrical characteristics of 3.3 kV SiC MOSFET drivers and reviews the studies on existing SiC drivers. Furthermore, it presents a design scheme for high-voltage SiC drivers, and highlights the key differences between SiC drivers and traditional IGBT drivers. A 3.3 kV SiC MO...

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Detalhes bibliográficos
Principais autores: XIN Lanyuan, LIN Zhenjun, CHEN Yanping, WANG Xiaonian, XU Shaolong
Formato: Artigo
Idioma:Chinês
Publicado em: Editorial Department of Electric Drive for Locomotives 2026-01-01
coleção:机车电传动
Assuntos:
Acesso em linha:http://edl.csrzic.com/thesisDetails#10.13890/j.issn.1000-128X.2026.01.018
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