Código QR

Investigation of 3.3 kV 4H-SiC DC-FSJ MOSFET Structures

This research proposes a novel 4H-SiC power device structure—different concentration floating superjunction MOSFET (DC-FSJ MOSFET). Through simulation via Synopsys Technology Computer Aided Design (TCAD) software, compared with the structural and static characteristics of the traditional vertical MO...

ver descrição completa

Na minha lista:
Principais autores: Chia-Yuan Chen, Yun-Kai Lai, Kung-Yen Lee, Chih-Fang Huang, Shin-Yi Huang
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: MDPI AG 2021-06-01
Colecção:Micromachines
Assuntos:
silicon carbide
superjunction
breakdown voltage
specific on-resistance
MOSFET
4H-SiC
Acesso em linha:https://www.mdpi.com/2072-666X/12/7/756
Tags: Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!

Registos relacionados