Investigation of 3.3 kV 4H-SiC DC-FSJ MOSFET Structures
This research proposes a novel 4H-SiC power device structure—different concentration floating superjunction MOSFET (DC-FSJ MOSFET). Through simulation via Synopsys Technology Computer Aided Design (TCAD) software, compared with the structural and static characteristics of the traditional vertical MO...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI AG
2021-06-01
|
| Loạt: | Micromachines |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.mdpi.com/2072-666X/12/7/756 |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|