QR குறியீடு

Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors

An enhancement-mode AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron- mobility-transistor was fabricated using a recess gate and CF<sub>4</sub> plasma treatment to investigate its reliable applicability to high-power devices and circuits. The fluorinated-gate device showed hysteresis during the...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:
முதன்மை ஆசிரியர்கள்: Soo Cheol Kang, Hyun-Wook Jung, Sung-Jae Chang, Seung Mo Kim, Sang Kyung Lee, Byoung Hun Lee, Haecheon Kim, Youn-Sub Noh, Sang-Heung Lee, Seong-Il Kim, Ho-Kyun Ahn, Jong-Won Lim
வடிவம்: Artigo
மொழி:Inglês
வெளியிடப்பட்டது: MDPI AG 2020-10-01
தொடர்:Nanomaterials
பொருள்கள்:
AlGaN/GaN HEMTs
enhancement-mode
fluorinated-gate
recessed gate
ஆன்லைன் அணுகல்:https://www.mdpi.com/2079-4991/10/11/2116
குறிச்சொற்கள்: குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும்
டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

ஒத்த வளங்கள்