STRUCTURE AND techological improvments of tmbs diodes
An improved structure and technological process of trench MOS barrier Schottky (TMBS) diodes are developed and studied by 2D-simulation. The experiments performed demonstrated simplification of the technology by elimination of one photolithography and improvement of the diode parameters.
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Russo |
| منشور في: |
Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics»
2019-06-01
|
| سلاسل: | Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/199 |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|