Código QR (código de barras bidimensional)

STRUCTURE AND techological improvments of tmbs diodes

An improved structure and technological process of trench MOS barrier Schottky (TMBS) diodes are developed and studied by 2D-simulation. The experiments performed demonstrated simplification of the technology by elimination of one photolithography and improvement of the diode parameters.

שמור ב:
Principais autores: V. S. Kotov, N. F. Golubev, V. E. Borisenko
פורמט: Artigo
שפה:Russo
יצא לאור: Educational institution «Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics» 2019-06-01
סדרה:Доклады Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники
נושאים:
диод
проектирование
технология
моп структура
пробивное напряжение
ток утечки
גישה מקוונת:https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/199
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים