Optoelectronic Properties of CdSe/Si Heterojunction
In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated bythermal-evaporation technique of CdSe thin film grown onto single crystalline Sisubstrate . The energy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectraand found to be (1.89 eV) . The temperature dependence of Seebeck c...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Unviversity of Technology- Iraq
2012-07-01
|
| Loạt: | Engineering and Technology Journal |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://etj.uotechnology.edu.iq/article_57262_29d3cab8016c716ad192dbf2dfa51130.pdf |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|