Extremely small trap concentrations in high-purity n-type GaN grown by quartz-free hydride vapor phase epitaxy
Trap characterization was performed for n-type GaN grown by the quartz-free hydride vapor phase epitaxy method with a newly developed reactor. Deep-level transient spectroscopy revealed several electron and hole traps within 1 eV of the conduction and valence band edges. All were present at low conc...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
IOP Publishing
2026-01-01
|
| Loạt: | Applied Physics Express |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.35848/1882-0786/ae466c |
| Các nhãn: |
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|