Monolithic integrated emitting-detecting configuration based on strained Ge microbridge
The strain technology is accelerating the progress on the CMOS compatible Ge-on-Si laser source. Here, we report a monolithically integrated microbridge-based emitting-detecting configuration, equipped with lateral p–i–n junctions, waveguide and gratings. The operating wavelength range of the emitti...
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| Principais autores: | , , , , , , , , , |
|---|---|
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Inglês |
| Publicado em: |
Wiley
2021-08-01
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| coleção: | Nanophotonics |
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://doi.org/10.1515/nanoph-2021-0122 |
| Tags: |
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