Binary-Synaptic Plasticity in Ambipolar Ni-Silicide Schottky Barrier Poly-Si Thin Film Transistors Using Chitosan Electric Double Layer

We propose an ambipolar chitosan synaptic transistor that effectively responds to binary neuroplasticity. We fabricated the synaptic transistors by applying a chitosan electric double layer (EDL) to the gate insulator of the excimer laser annealed polycrystalline silicon (poly-Si) thin-film transist...

Celý popis

Podrobná bibliografie

Hlavní autoři:	Ki-Woong Park, Won-Ju Cho
Médium:	Artigo
Jazyk:	Inglês
Vydáno:	MDPI AG 2022-09-01
Edice:	Nanomaterials
Témata:	Ni-silicide ambipolar channel polycrystalline silicon thin-film transistor artificial synaptic transistor chitosan electrolyte
On-line přístup:	https://www.mdpi.com/2079-4991/12/17/3063
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!