QR رمز

(In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic><sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3 </sub> Photodetectors Fabricated on Sapphire at Different Temperatures by PLD

The (In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic><sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> photodetectors were fabricated on the single-crystalline (In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic> <sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> films deposited on...

وصف كامل

محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: Ke Zhang, Qian Feng, Lu Huang, Zhuangzhuang Hu, Zhaoqing Feng, Ang Li, Hong Zhou, Xiaoli Lu, Chunfu Zhang, Jincheng Zhang, Yue Hao
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: IEEE 2018-01-01
سلاسل:IEEE Photonics Journal
الموضوعات:
(InxGa1−x)2O3
photodetectors
temperatures
PLD.
الوصول للمادة أونلاين:https://ieeexplore.ieee.org/document/8368328/
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة