QR kód

(In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic><sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3 </sub> Photodetectors Fabricated on Sapphire at Different Temperatures by PLD

The (In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic><sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> photodetectors were fabricated on the single-crystalline (In<italic><sub>x</sub></italic>Ga<sub>1&#x2212;</sub><italic> <sub>x</sub></italic>)<sub>2</sub>O<sub>3</sub> films deposited on...

Celý popis

Uloženo v:
Hlavní autoři: Ke Zhang, Qian Feng, Lu Huang, Zhuangzhuang Hu, Zhaoqing Feng, Ang Li, Hong Zhou, Xiaoli Lu, Chunfu Zhang, Jincheng Zhang, Yue Hao
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: IEEE 2018-01-01
Edice:IEEE Photonics Journal
Témata:
(InxGa1−x)2O3
photodetectors
temperatures
PLD.
On-line přístup:https://ieeexplore.ieee.org/document/8368328/
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Podobné jednotky